近日,台积电2025年供应链管理论坛如期举行,这场关乎全球半导体产业链格局的盛会,正式揭晓年度优秀供应商名单。台积电在会上明确表示,过去一年供应链伙伴共筑强劲运营韧性,助力2纳米等先进制程、封装技术的研发与优化,同时推动产能扩建与全球布局落地,为技术领先奠定坚实基础。本次共有30家企业凭借突出表现斩获殊荣,涵盖设备供应、新厂建设、材料支持等核心领域,奖项设置既聚焦量产保障,也凸显绿色制造与安全建设
11月26日,据行业内幕人士蒂姆・库尔潘透露,9月下旬台积电位于美国亚利桑那州的Fab21晶圆厂,因核心供应商突发停电遭遇生产中断,部分处于加工流程中的晶圆被迫报废。针对这一消息,台积电发言人已向Tom'sHardware证实供应商停电事件存在,但对具体损失情况未予明确回应。此次引发生产波动的“源头”,是为Fab21提供关键气体支持的英国工业气体巨头——林德集团。值得注意的是,Fab21与多数先进
半导体行业的人才流动从未如此牵动神经。11月18日,据中国台湾媒体LTN报道,前台积电企业策略发展资深副总经理罗唯仁——这位手握超15000项专利的半导体“泰斗”,已在上月底正式加盟英特尔担任研发副总裁。而更令人关注的是,伴随他的入职,台积电2nm先进制程的核心机密安全已被推至风口浪尖。时间线的巧合充满想象空间。今年7月底,75岁的罗唯仁从服务21年的台积电退休;仅三个月后,他便“重返老东家”——
随着全球AI浪潮持续升温,先进封装需求快速攀升,并进一步带动硅光子、CPO、CoPoS以及大尺寸面板级封装等新技术加速发展。在台积电与英特尔两大阵营积极抢攻先进封装订单的带动下,大量科技、万润、印能、均豪、均华等相关设备厂同步迎来大量订单,运营表现强劲增长。大量科技董事长王作京指出,AI推动的高端封装需求,使高端CCD背钻机出货量大幅增加,带动公司今年产能呈现满载态势。目前在手订单交期已排至202
台积电3纳米制程正式迈入黄金量产阶段。第三季度数据显示,3纳米营收占比已提升至23%,成长速度超过5纳米制程,成为推动整体营运的重要动力。随着人工智能(AI)与云端应用快速扩展,台积电3纳米产线全速运转,南科Fab18产能利用率接近满载,AI芯片及旗舰移动芯片需求持续升温。业界消息指出,台积电3纳米月产能已由去年底的约10万片,快速提升至10~11万片,并预计2025年将进一步增至16万片,增幅接
美国多家科技媒体援引爆料人士的消息指出,台积电已通知苹果等主要客户,自明年起5nm以下先进制程芯片将调涨价格约8%至10%,原因在于反映庞大的资本支出及初期良率挑战。这也意味着即将登场的iPhone18或将面临芯片成本大幅上升的压力。据MacRumors与AppleInsider报道,爆料人士yeux1122在韩国Naver社群平台发布讯息称,台积电已开始向主要客户通知,明年5nm以下制程的芯片将
据多家媒体报道,台积电计划在台湾中部科学园区建设四座专门用于生产A14(1.4纳米)晶圆的新厂。这项庞大投资预计总额高达1.5万亿新台币(约合490亿美元),将为先进制程芯片制造奠定技术基础,并创造约8000至10000个就业岗位。台积电已向中科管理局提交土地租赁简报,说明其在台中F25厂进行1.4nm晶圆量产的详细规划。根据计划,其中一座工厂将在2027年底启动试产,全面量产预计于2028年下半
据9月18日消息,4年后台积电终于在美国搞定了生产,真成了大家说的“美积电”。据外媒最新报道称,台积电位于亚利桑那州的21号厂房第一阶段正在"少量但大量"生产iPhone14Pro的A16SoC。现阶段的生产主要是对工厂的测试,但预计未来几个月会有更多的生产。一旦第一期工厂的第二阶段实际完工,产量将大幅提升。如果一切按计划进行,亚利桑那工厂将在2025年上半年的某个时候实现投产目标。据说,正在制造
近日,外媒TheInformation引用知情人士消息,谷歌在数据中心处理器芯片研发方面取得进展,并有望于2025年开始使用,新处理器预定由台积电生产。报道称,Google服务器处理器团队用时2年,开发了两款基于ARM架构的5纳米处理器。其中一款代号为Maple,采采(MarvellTechnologyGroup现成设计,目前已完成设计交由台积电试产。另一款代号为Cypress,交由以色列团队开发
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12月25日,据台媒报道,台积电总裁魏哲家此前预告“3纳米今年内在台湾地区量产”的承诺即将兑现。12月23日,台积电发出活动邀请,12月29日将在南科举办3纳米量产暨扩厂典礼。此前,魏哲家在法说会上提到,3纳米进度符合预期,具备良好良率并将在第四季度量产,在高速运算和智能手机应用驱动下,客户对3纳米需求超过产能。此外,魏哲家承诺2纳米工艺2025年量产时会是“最领先的技术”。台积电多次预告今年内在
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存储器的发展取决于应用场景的变化,当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求,新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,ReRAM或RRAM)逐渐受到市场重视。近日,英飞凌官方消息称,其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而不是嵌入式闪存(eFlash),并将在台积电的28纳米
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美国当地时间12月6日,台积电宣布其美国亚利桑那州晶圆厂开始兴建第二期工程,预计于2026年开始生产3纳米制程技术,该厂目前兴建中的第一期工程预计于2024年开始生产N4制程技术,两期工程总投资金额约为400亿美元,台积电称,公司在亚利桑那州的投资从此前的120亿美元提高到400亿美元,是公司在海外最大的一笔投资,也是亚利桑那州迄今为止获得的最大一笔投资。除了一万多名协助兴建厂房的营建人员之外,台
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11月25日,英飞凌和台积电宣布,两家公司正准备将台积电的电阻式RAM(RRAM)非易失性存储器(NVM)技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器(MCU),并将在台积电的28纳米节点上制造。自第一个发动机管理系统问世以来,嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要构建块。目前,市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术(eFlash)技术。而RRAM是嵌入式存储器的下一步,可以进
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存储器的发展取决于应用场景的变化,当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求,新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,ReRAM或RRAM)逐渐受到市场重视。近日,英飞凌官方消息称,其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而不是嵌入式闪存(eFlash),并将在台积电的28纳米
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11月21日,台积电创始人张忠谋首次向媒体确认,台积电目前最先进的3nm工艺将作为美国亚利桑那州工厂的第二阶段。图:张忠谋据《华尔街日报》援引知情人士的话称,台积电计划在美国目前的晶圆厂厂址旁边再建一座采用3nm先进工艺的晶圆厂。张忠谋第一时间直接证实了这一传闻,强调5nm工厂是第一个阶段,接下来将在其旁边规划3nm工厂。这意味着台积电有史以来第一次将最先进的制造工艺部署到台湾以外进行生产。图:接
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11月21日,据台湾经济日报消息,台积电取代三星夺下特斯拉下一代全自动辅助驾驶(FSD)芯片大单,将以4/5nm工艺生产。报道称,特斯拉2023年有望成为台积电前七大客户,也是台积电主力客户首度出现纯电动车厂。此前台积电举办北美技术论坛时,特斯拉高管现身并分享与台积电合作的成功案例,当时引起各界高度关注,并猜测双方将在芯片代工上扩大合作。据悉,特斯拉致力开发全自动辅助驾驶系统(FSD),相关芯片融
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据中国台湾报道,业内人士称,台积电7nm产能利用率目前已跌至50%以下,预计2023年第一季度跌势将加剧,台积电高雄新厂7nm制程的扩产也被暂缓。造成这一局势的主要原因是台积电IC设计客户大力砍单。据了解,联发科、AMD、高通、苹果与英特尔等下游厂商都在缩减订单,并延后拉货。据了解,台积电7nm制程主要为智能手机、PC、服务器等产品市场服务。而今年来,消费电子终端需求疲软,晶圆代工下游客户库存高企
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半导体行业寒冬再添阴霾,中下游厂商砍单浪潮终于扑向了上游。据媒体报道,由于3nm制程大客户临时取消订单,台积电也向自家供应链举起了砍单大刀。相较年初规划,其砍单幅度最高达40%-50%。本次砍单,受影响厂商涵盖再生晶圆、关键耗材、设备等多个环节;冲击领域包括前段生产制程与后端先进封装制程,其中,对后端影响程度高于前段。台积电供应商透露,的确,从Q3末以来,来自台积电的订单便开始转弱,Q4与明年Q1
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近日,外媒TheInformation引用知情人士消息,谷歌在数据中心处理器芯片研发方面取得进展,并有望于2025年开始使用,新处理器预定由台积电生产。报道称,Google服务器处理器团队用时2年,开发了两款基于ARM架构的5纳米处理器。其中一款代号为Maple,采采(MarvellTechnologyGroup现成设计,目前已完成设计交由台积电试产。另一款代号为Cypress,交由以色列团队开发
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GPU大厂英伟达(NVIDIA)年初遭黑客组织勒索病毒攻击,内部系统遭入侵后,驱动编程原文件和韧体超过1TB资料外泄,大量曝光图片就有尚未发表的GPU,包括AdaLovelace、Hopper和Blackwell架构。前几个月英伟达发表Hopper架构和AdaLovelace架构GPU,分别针对数据中心和游戏显卡。照英伟达技术改朝换代周期,下一次大概会是两年后。接替Hopper架构的是Blackw
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