铠侠闪迪联手美国建厂，NAND闪存版图将迎大变动

2025年11月27日，日本权威媒体《日刊工业新闻》披露重磅消息：日本存储巨头KIOXIA铠侠与美国闪存企业Sandisk闪迪，正计划联合在美国兴建NAND晶圆厂。更为关键的是，这一跨洋合作计划已获得日美两国政府的明确支持意向，有望借助政策红利加速落地。

作为全球NAND闪存市场的核心力量，铠侠与闪迪的联盟长期以日本为产能核心——当前双方共有的NAND晶圆厂集中布局于日本四日市和北上市，其中四日市工厂更是全球规模领先的闪存生产基地。而从全球格局来看，NAND闪存产能长期高度集中于东亚地区，三星、SK海力士、美光等头部厂商的核心产线多分布在韩国、中国台湾及美国本土部分区域，但值得注意的是，美光、三星等企业近期公布的美国建厂计划，均未涉及NAND业务，反而将重心投向DRAM及HBM等高利润领域。

此次铠侠与闪迪的美国建厂计划，背后是闪迪持续高涨的扩产需求在推动。早在此前报道中，闪迪就曾流露在美建厂的意愿，先是考虑在密歇根州投建大型晶圆厂，近期又传出计划借力积电现有场地推进项目的风声。这一系列动作清晰表明，在全球NAND需求持续增长的背景下，闪迪对扩充产能、优化区域布局的需求极为迫切。数据显示，2025年以来，AI服务器、AIPC及智能汽车等终端的爆发，已推动NAND需求增速达到13.8%-20%，而新晶圆厂投产周期通常需要3年以上，供需缺口正逐步扩大，这也成为双方加速扩产的重要动因。

从产业环境来看，该计划的推进具备充足的政策土壤。美国《芯片与科学法案》已累计向三星、台积电、美光等企业发放数十亿美元补贴，鼓励半导体产能回流，铠侠与闪迪的合作项目恰好契合这一战略方向；日本政府则希望通过支持本土企业海外布局，巩固其在NAND核心技术领域的话语权——毕竟铠侠的前身东芝正是NAND闪存的发明者，至今仍掌握BiCS Flash等关键技术。

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